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近日，zycgr發布多批政府采購意向，（略）特對其中的儀器設備品目進行梳理，統計出23項儀器設備采購意向，預算總額達1.86億元。近日，zycgr發布23項儀器設備采購意向，預算總額達1.86億元，涉及原子層刻蝕設備、超高真空低溫掃描探針顯微鏡、原子力顯微鏡、近常壓低壓掃描電子顯微鏡、掃描隧道顯微鏡（STM）等，預計采購時間為2025年5~10月。Zycgr2025年5~10月儀器設備采購意向匯總表
采購項目
需求概況
預算金額/萬元
采購時間
原子層刻蝕設備
1臺腔體尺寸：8英寸兼容；標配4（略）；（略）采用全套316LEP（略）+VCR密封，管路具有在線吹掃功能；本底真空:＜5×10-6Torr；真空漏率:＜5×10-7Pa·L/S；反應腔體內腔：內表面整體采用特殊表面處理，可抗HF刻蝕；反應腔體溫度:最高450℃；片內均勻性：≤±5%；刻蝕深度精度：≤1nm；刻蝕速率：≤1nm/cycle。
750
2025年10月
離子束塑形IBS
1臺腔體尺寸：8英寸兼容；干泵抽速：≥150L/s；刻蝕均勻性：≤1%；樣品臺偏轉范圍：-90到+80℃；溫度控制范圍：5-35℃；（略）：≥6路。
800
2025年10月
超高真空低溫掃描探針顯微鏡
1臺分辨率：原子分辨率；最低工作溫度：≤5K；低溫維持時間：≥50h(液氦容積4L、液氮容積15L）；可選光學通道，適于光學實驗。
1400
2025年10月
原子力顯微鏡
1臺平面和橫截面樣品均可，尺寸要求：邊長或直徑≤210mm/8英寸，高度≤15mm；單次最大掃描范圍（XY）：≤90um×90um；表面起伏（Z）：≤10um；噪聲水平：≤30pm；熱漂移水平：<0.2nm/min。
270
2025年10月
近常壓低壓掃描電子顯微鏡
空間分辨率5nm；高分辨率模式最大觀察視野：≧（略）@5kV；工作距離WD：<9mm；放大倍率：1~（略）x。
1100
2025年10月
掃描隧道顯微鏡（STM）
1臺大的掃描范圍（5K條件下1μmx1μm）和高的分辨率（XYZ分辨5K下小于0.01nm）；小磁場（最大0.1T）；樣品直接加熱溫度>1200℃，間接加熱>900℃；原位樣品處理（加熱、氬離子轟擊）；原位薄膜樣品生長（配備分子束外延腔）。
1200
2025年10月
（略）
1臺-60度300度變溫；兼容8英寸；高達3kV（三軸）/10kV（同軸）和200A（標準）/600A（大電流）的精確高壓和大電流測量；獨特的移動面板，可實現異位打點、全掃描、墨點識別、精度自動校正等。
1100
2025年10月
（略）
連續可調熒光激發波長范圍：500～850nm高靈敏度近紅外熒光檢測范圍：900～1600nm（增強型可調諧超連續光源）高功率660nm固定波長激光，功率約300mW吸收光譜范圍：425～1650nm包含國際運輸與保險，以及設備安裝、調試和培訓服務。在收到預付款后8個月內交貨自設備驗收合格之日起免費保修12個月采購數量1臺。
180
2025年5月
超速離心機
2臺每臺配備兩個不同的轉頭：VTi50.1垂直轉頭與SW40Ti水平轉頭主要配置垂直轉頭包：含12個轉頭密封墊、扳手、加脂潤滑劑、限速盤等配件水平轉頭包：含轉頭、離心管、轉頭潤滑劑、限速盤及常規配件套件：包含聚丙烯離心管、襯墊、管架及取管工具等交貨期：60天保修期：12個。
150
2025年5月
二維材料化學氣相沉積設備
化學氣相沉積設備2臺；（略）：三段加熱；升溫速率：40℃/s；本底真空度：小于10Pa；最高工藝溫度：1200℃；外延尺寸：兼容8英寸晶圓。
300
2025年8月
二維材料有機金屬化學氣相沉積（MoS2）
1臺垂直式進氣方式：（略）
2000
2025年8月
二維材料有機金屬化學氣相沉積（WSe2）
1臺垂直式進氣方式：（略）
2000
2025年8月
二維材料真空轉移設備（2英寸）
1臺真空度能達到5E-7mbar；最高加熱溫度為350℃，最低溫度為10℃，升溫速度最高為2℃/s，降溫速度最高1.5℃/s，溫度偏差小于0.2℃；（略），能實現一鍵操作；能滿足2英寸及以下樣品的轉移；轉移破損率小于1%。
200
2025年8月
二維材料真空轉移設備（8英寸）
1臺真空度能達到5E-7mbar；最高加熱溫度為350℃，最低溫度為10℃，升溫速度最高為2℃/s，降溫速度最高1.5℃/s，溫度偏差小于0.2℃；（略），能實現一鍵操作；能滿足8英寸及以下樣品的轉移；轉移破損率小于1%。
600
2025年8月
原子層沉積設備
1臺腔體尺寸：8英寸兼容；基礎真空：小于10Pa；加熱控制：50℃-400℃；氣體接口：不銹鋼卡套、NPT螺紋；氣體種類：臭氧、氮氣、氨氣、氬氣；前驅體數目：6路液態鋼瓶+2路固態鋼瓶+4路氣體。
750
2025年9月
遠程等離子體表面處理機
1臺腔體尺寸：8英寸兼容；工藝腔本底真空：≤0.5mTorr；工藝腔漏氣率：≤1mTorr/min；工藝控壓范圍：5-85mTorr；工藝腔控溫范圍：室溫-100℃；上射頻電源功率：≥3000W；下射頻電源功率：≥1500W；配置工藝氣體：5路，包括Ar,O2，He,N2，SF6,Cl2；分子泵抽速：≥2000L/s。
450
2025年9月
等離子增強化學氣相沉積
1臺工藝腔基座：AlN陶瓷加熱器；腔體溫度：最高可達550℃；高頻電源功率：≥1500W；低頻電源功率：≥1500W；工藝腔本底真空：≤20mTorr；工藝腔體漏率：≤5mTorr/min；工藝氣體：N2,He,SiH4,NH3，O2。
350
2025年9月
金屬分子束外延
1臺腔體尺寸：8英寸兼容；工藝腔體極限真空：小于1×10-10Torr；（略）：冷凝泵，離子泵，鈦升華泵；襯底溫度：350-800℃溫度范圍可調；片間溫度均勻性：≤4℃；樣品臺旋轉速度：40/min；坩堝數目：≥4個；坩堝才離職：PBN；不銹鋼氮氣吹掃管，配水冷壓縮機；鍍膜速率：0.1-2nm/s范圍可調；高真空銅墊圈密封；Sb金屬沉積配置裂解源；蒸發擋板開關次數：≥100萬次；蒸發擋板開關時間：≤1s。
1650
2025年9月
（略）
1臺蒸鍍腔極限真空：≤1×10-9Torr；工藝腔體回壓率：≥1×10-6Torr·L/s；電子槍功率：10KW；坩堝蒸發源：≥4；腔體尺寸：8英寸兼容；蒸鍍均勻性：片內均勻性≤±5%；蒸發速率：0.05-1nm/s之間可調；蒸鍍金屬種類：Ti,Au,Ni,Cr,Al。
600
2025年9月
離子束沉積
1臺離子沉積源：150毫米；（略）域：不小于200毫米；靶材數量：不少于4個靶材；基板尺寸：8英寸晶圓；最終產品檢測：雙晶片監測器或WLOM；基板旋轉：500轉每分鐘；基板傾斜角度：0o至75o，介于束流和基板表面法線之間；基板加熱：內置加熱器，0℃-300℃；基板冷卻：流體冷卻劑，溫度10℃-50℃；輔助或預清潔源：射頻離子源。
900
2025年9月
超高真空原子層沉積
1臺腔體尺寸：8英寸兼容；加熱控制：50℃-400℃；工藝腔體極限真空：小于1×10-6Torr；氧化鋁均勻性：<1%；前驅體數目：4路液態或者固態反應前驅體，2組等離子體反應氣體。
610
2025年10月
等離子刻蝕
1臺腔體尺寸：8英寸兼容；工藝腔本底真空：≤0.5mTorr；工藝腔漏氣率：≤1mTorr/min；工藝控壓范圍：5-85mTorr；工藝腔控溫范圍：室溫-100℃；射頻電源功率：≥1200W；射頻電源頻率：13.56MHz；配置工藝氣體：6路，包括Ar,O2，He,N2，SF6,CF6，Cl2；流量控制：支持6個或更多的MFC’s用于ICP高速刻蝕，帶氣動截止閥；（略）：泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵；分子泵抽速：≥2000L/s；操作控制：（略）通過預裝的LabView（略），實現PC全自動控制。
550
2025年10月
感應耦合等離子刻蝕
1臺腔體尺寸：8英寸兼容；工藝腔本底真空：≤0.5mTorr；工藝腔漏氣率：≤1mTorr/min；工藝控壓范圍：5-85mTorr；工藝腔控溫范圍：室溫-100℃；上射頻電源功率：≥3000W；下射頻電源功率：≥1500W；配置工藝氣體：6路，包括Ar,O2，He,N2，SF6,CF6，Cl2；分子泵抽速：≥2000L/s。
700
2025年10月
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