（略）-氣冷微堆材料輻照后性能表征外委氣冷微堆材料輻照后性能表征外委-競(jìng)爭(zhēng)性談判采購(gòu)公告采購(gòu)公告（公開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)性談判）
1、采購(gòu)條件
（略），該項(xiàng)目已具備采購(gòu)條件，現(xiàn)對(duì)氣冷微堆材料輻照后性能表征外委進(jìn)行公開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)性談判。
2、項(xiàng)目概況與采購(gòu)范圍2.（略）承擔(dān)了氣冷微堆燃料及相關(guān)組件的研發(fā)工作。其中燃料采用TRISO顆粒彌散在SiC基體中燒結(jié)而成的陶瓷體燃料，控制棒吸收體采用B4C材料，相關(guān)的制備工藝完全依靠自主研發(fā)形成。目前相關(guān)材料的輻照考驗(yàn)工作正在進(jìn)行中。為了獲得相關(guān)材料的微觀缺陷演變信息，揭示其輻照損傷行為機(jī)理，以支撐后續(xù)設(shè)計(jì)和改進(jìn)工作的開(kāi)展，需要進(jìn)行SiC基體與B4C材料輻照后微結(jié)構(gòu)表征工作。
2.2采購(gòu)范圍本次采購(gòu)主要內(nèi)容為氣冷微堆SiC基體材料與B4C吸收體材料的輻照前后微觀組織表征技術(shù)服務(wù)，具體包括：
采用掃描電鏡觀察不同溫度/劑量下的輻照對(duì)樣品表面與截面/斷面帶來(lái)的影響，重點(diǎn)觀察SiC材料中晶界和第二相分布與B4C材料中氣孔和10B嬗變產(chǎn)生的氦氣導(dǎo)致的材料腫脹現(xiàn)象。同時(shí)采用能譜儀分析與電子背散射衍射手段進(jìn)一步得到樣品的成分、晶粒形貌與尺寸分布信息；2)利用聚焦離子束制備透射電子顯微鏡樣品，利用透射電鏡得到樣品輻照前后的微觀結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)等重要信息。觀察分析不同溫度/劑量下的中子輻照對(duì)材料內(nèi)部微結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的影響，重點(diǎn)觀察對(duì)象為孔洞、位錯(cuò)/位錯(cuò)環(huán)等缺陷的分布與YAG第二相粒子、沉淀相析出等微結(jié)構(gòu)損傷現(xiàn)象；3)納米壓痕技術(shù)在微納米尺度上，測(cè)量不同劑量的（略）力學(xué)性能的改變。在本項(xiàng)目中，用納米壓痕技術(shù)來(lái)測(cè)量不同溫度/劑量下的中子輻照對(duì)樣品力學(xué)性能（楊氏模量和硬度）影響。3、供應(yīng)商資格要求3.1通用條件:在中華人民共和國(guó)境內(nèi)擁有合法經(jīng)營(yíng)權(quán)力，具有獨(dú)立的法人資格，符合國(guó)家有關(guān)規(guī)定，有資格和能力完成本招標(biāo)項(xiàng)目的相關(guān)人員、設(shè)備、財(cái)務(wù)、技術(shù)能力。供應(yīng)商與簽訂合同主體必須為同一主體，名稱：（略）
3.2專項(xiàng)條件
無(wú)（略）資質(zhì)要求
無(wú)（略）業(yè)績(jī)要求
無(wú)
3.3是否允許聯(lián)合體：否
3.4是否接受代理商：否
3.5應(yīng)具備的其他要求：
無(wú)
4、采購(gòu)文件的獲取：（略）
4.（略）發(fā)布，（略）進(jìn)行報(bào)名、報(bào)價(jià)活動(dòng)。
4.2凡有意參加報(bào)價(jià)者，（略）：資質(zhì)證書(shū)（如需）、
保密承諾函。未上傳上述文件的供應(yīng)商視為無(wú)效報(bào)名。
4.3（略）上報(bào)價(jià)，必要時(shí)提供采購(gòu)文件下載，以便供應(yīng)商進(jìn)行核對(duì)和報(bào)價(jià)。
4.4供應(yīng)商需對(duì)報(bào)價(jià)信息對(duì)照我方需求計(jì)劃認(rèn)真核對(duì)，如存在差異應(yīng)在報(bào)價(jià)文件中進(jìn)行偏離說(shuō)明。
4.（略）發(fā)布，其他媒介轉(zhuǎn)載無(wú)效。因輕信其他組織、個(gè)人或媒介提供的信息而造
成的損失，采購(gòu)人：（略）
5、、聯(lián)系方式：（略）
采購(gòu)人：（略）
地址：（略）
郵編：100840
聯(lián)系人：（略）
聯(lián)系電話：（略）
電子郵箱：（略）
2024年8月5日
保密承諾函
（略）：我司擬參與（項(xiàng)目名稱：（略）
承諾人：（公章）年月日