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華中科技大學(xué)2025年08月政府采購意向公開(第二批)

所屬地區(qū):全國 發(fā)布日期:2025-07-04
所屬地區(qū):全國 招標業(yè)主:登錄查看 信息類型:需求公告
更新時間:2025/07/04 招標代理:登錄查看 截止時間:登錄查看
咨詢該項目請撥打:15055702333
為便于供應(yīng)商及時了解政府采購信息,根據(jù)《財政部關(guān)于開展政府采購意向公開工作的通知》(財庫〔2020〕10號)等有關(guān)規(guī)定,現(xiàn)將華中科技大學(xué)2025年08月政府采購意向公開(第二批)如下:
(略)采購項目名稱:(略)
1(略)YX(略)A(略)物理光學(xué)儀器開展超快時序光學(xué)測量的光譜儀設(shè)備,包括條紋變像管,高靈敏度CCD探測器和單色儀等部分,具體參數(shù)要求為:光譜相應(yīng)范圍覆蓋300-800nm;時間分辨率優(yōu)于3ps;兼具快掃(50-100MHz)和慢掃(0.1-1MHz)兩種模式(略)年08月
2FIB(略)YX(略)A(略)顯微鏡"擬購FIB(略)1套。主要技術(shù)指標:1、離子束鏡筒:液態(tài)Ga離子源;分辨率≤3.(略)@30kV;加速電壓0.5-30KV(10V步進);束流1pA-100nA;壽命≥3000μAh;支持實時邊切邊看。2、電子束鏡筒:肖特基場發(fā)射燈絲;分辨率≤0.(略)@15KV、≤1.(略)@1KV(非減速模式);加速電壓0.02-30KV(著陸電壓20eV-30keV);束流穩(wěn)定性優(yōu)于0.2%/h。3、探測器:樣品室+鏡筒內(nèi)獨立二次電子探測器(鏡筒內(nèi)無需偏壓)、環(huán)形背散射探測器、2個紅外/彩色CCD相機;支持雙通道同時成像。4、能譜儀:SDD硅漂移探測器(100mm2,超薄窗);元素范圍Be4-Cf98;能量分辨率MnKa≤127eV、FKa≤64eV、CKa≤56eV(@130,000cps,符合ISO15632:2012);軟件控制自動伸縮。5、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;6、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
3(略)YX(略)A(略)工藝試驗機"(略)1套。主要技術(shù)指標:1、加工尺寸:支持4、6、8英寸;2、拋光頭轉(zhuǎn)速:最大轉(zhuǎn)速≥200rpm;誤差±1%;3、拋光頭采用直驅(qū)電機。加壓方式:(略)
4(略)YX(略)A(略)工藝試驗機"(略)1套。主要技術(shù)指標:1、最小線寬:≤300±50nm(最小光柵周期:≤600nm);2、線寬均勻性:≤50nm(3σ)@300nm分辨率;3、線粗糙度:≤30nm(3σ)@300nm分辨率;4、正面對準精度≤250nm(平均值);5、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;6、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
5(略)YX(略)A(略)工藝試驗機"(略)1套。主要技術(shù)指標:1、8英寸向下兼容;2、射頻:頻率13.56MHz,上射頻額定功率≥1500W,下射頻額定功率≤300W;3、配備ALE快速切換閥,響應(yīng)時間<30ms;4、氣路總數(shù)可達8路,每路入口配有截止閥;5、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;6、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
6誤碼率分析儀YX(略)A(略)(略)參數(shù)測量儀"擬購誤碼率分析儀1臺。主要技術(shù)指標:1、支持2-64GBd的碼型產(chǎn)生;2、支持NRZ,PAM4編碼方式:(略)
7電子束蒸鍍機YX(略)A(略)工藝試驗機"擬購電子束蒸鍍機1臺。主要技術(shù)指標:1、溫度可以高達1100攝氏度,誤差為+/-1%;2、8”晶圓薄膜沉積均勻性可以達到σ<1.0%,49Pts5mmEE。3、設(shè)備可以運行最大8”晶圓,并向下兼容;4、設(shè)備預(yù)留多個功能模塊位置,可以方便升級,添加其他功能模塊,如磁控濺射、離子刻蝕、PLD等;5、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;6、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
8(略)YX(略)A(略)工藝試驗機"(略)1臺。主要規(guī)格參數(shù):1、(略)包括進口分子泵(抽速≥650L/s)和進口渦旋干泵(抽速≥3.1L/s),腔體與分子泵之間配有氣動閘板閥,本底真空度優(yōu)于9E-7Pa;2、靶臺:靶材尺寸及數(shù)量:φ2英寸×3個;每個靶材均可實現(xiàn)自轉(zhuǎn)、公轉(zhuǎn),自轉(zhuǎn)速率≤10RPM,由電機控制;可在公轉(zhuǎn)方向上擺動掃描,以實現(xiàn)激光對靶材的均勻燒蝕;3、配備進口RHEED電子槍,電子槍能量最高可達30KeV,工作氣壓最高可達0.4Torr(50Pa);4、配備進口ICP離子源,RF電源功率大于500w,流量計10sccm;5、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;6、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
9(略)調(diào)制分析儀YX(略)A(略)(略)參數(shù)測量儀"(略)調(diào)制分析儀統(tǒng)1臺。主要技術(shù)指標:1、2通道模擬實時帶寬≥59GHz;2、2通道實時采樣率≥200GS/s;3、存儲深度≥50M;4、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;5、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
10反應(yīng)離子刻蝕機YX(略)A(略)工藝試驗機"擬購反應(yīng)離子刻蝕機1臺。主要規(guī)格參數(shù):1、設(shè)備8英寸并向下兼容;2、可實現(xiàn)對Ⅲ-Ⅴ族材料以及硅基材料的低損傷刻蝕;對SiO2的刻蝕:刻蝕速率>25nm/min;3、最大刻蝕深度<1mm,對PR的選擇比>2.5:1,側(cè)壁傾角88±2°;4、8英寸范圍內(nèi)刻蝕均勻性<±3%;5、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;6、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
11(略)YX(略)A(略)(略)參數(shù)測量儀"(略)1套。主要規(guī)格參數(shù):1、覆蓋8*8陣列芯片的測試,配置16個SMU通道;2、任意波形發(fā)生器:16Bit,8通道,每條通道2G樣點波形存儲深度,采樣率10GS/s;3、源表:2通道,200V,測量分辨率0.1fA/100nV;4、最小脈寬:400ps5、示波器:8個模擬通道,62.5M記錄長度,2.5G帶寬;6、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;7、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
12頻譜分析儀YX(略)A(略)(略)參數(shù)測量儀"擬購頻譜分析儀1臺。主要規(guī)格參數(shù):1、頻率范圍不小于2hz-26.5GHz;2、實時頻譜分析帶寬不低于500MHz;3、總體幅度精度±0.27dB;4、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;5、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
13(略)YX(略)A(略)工藝試驗機"(略)1套。主要規(guī)格參數(shù):1、反應(yīng)腔室1套,(略)1套;2、下電極1套;射頻電源及匹配器1套,頻率13.56MHz;3、(略)1套;(略)1套;控制軟件1套;3、選配loadlock(略);4、選配400kHz低頻射頻電源;5、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;6、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
14(略)絡(luò)分析儀YX(略)A(略)(略)參數(shù)測量儀"(略)絡(luò)分析儀1臺。主要技術(shù)指標:1、頻率范圍不低于10MHz-43.5GHz;2、端口數(shù)量4個;系統(tǒng)動態(tài)范圍119dB;3、噪聲電平≤-130dBm;4、相位噪聲≤-119dBc/Hz(@10KHz頻偏);5、跡線噪聲1GHz到40GHz幅度<0.008dB,相位<0.06°;6、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;7、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
15功率器件分析儀YX(略)A(略)功率計"擬購功率器件分析儀1臺。主要技術(shù)指標:1、具有高電壓高電流IV測量功能,最大電流1500A,最大電壓3KV,且可在1500A和3KV之間進行自動切換;2、超大電流模塊,最大電流±1500A(脈沖),電流測量分辨率為:2mA,最大輸出電壓±60V,輸出脈沖寬度可設(shè)置范圍為10us至0.5ms;3、柵極最大輸出電壓:±30V,最大輸出電流:±1A(脈沖模式),±0.1A(DC),最小電流測量分辨率:10pA4、高壓模塊性能:最大輸出電壓范圍±3KV,最大輸出電流:±8mA;電流測量最小分辨率為:10fA;5、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;6、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
16金相顯微鏡YX(略)A(略)顯微鏡"擬購金相顯微鏡4臺。主要技術(shù)指標:1、(略)及變焦比:(略),變焦比或變倍比≥10倍。2、配備不少于4個物鏡,放大倍數(shù)及參數(shù)要求如下:3倍鏡頭,放大倍數(shù)范圍需涵蓋45X-400X,數(shù)值孔徑NA≥0.09,工作距離WD≥30mm10倍鏡頭,放大倍數(shù)范圍需涵蓋150X-1400X,數(shù)值孔徑NA≥0.30,工作距離WD≥30mm20倍鏡頭,放大倍數(shù)范圍需涵蓋(略)X,數(shù)值孔徑NA≥0.40,工作距離WD≥20mm40倍鏡頭,放大倍數(shù)范圍需涵蓋(略)X,數(shù)值孔徑NA≥0.80,工作距離WD≥4.5mm3、觀察方式:(略)
17相位噪聲分析儀YX(略)A(略)(略)參數(shù)測量儀"擬購相位噪聲分析儀1臺。主要技術(shù)指標:1、相位噪聲測量載波頻率范圍不小于1MHz-50GHz;2、相位噪聲測量頻偏可達1GHz;3、可完成測試功能包括瞬態(tài)測試、VCO測試、AM噪聲測試和Alan方差測試;4、相位噪聲測量SSB相位噪聲、(略)、時間抖動;5、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;6、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
18橢偏儀YX(略)A(略)光學(xué)測試儀器"擬購橢偏儀1臺。主要技術(shù)指標:1、測量能力:全穆勒矩陣16個元素、偏振光譜Psi/Delta、折射率、厚度、雙折射及介電常數(shù)等;2、光譜范圍:210nm-1650nm;3、膜厚重復(fù)性精度:≦0.005nm(100nmSiO2/Si,30repeats,1σ);膜厚測量精度:<0.5nm(100nmSiO2/Si);4、折射率重復(fù)性精度:≦0.0005nm(n@632.8nm,100nmSiO2/Si,30repeats,1σ);5、激光定焦:采用激光測距儀精準探測最佳焦距,實現(xiàn)樣品Mapping快速掃描測量,采用x/y型Mapping掃描臺,支持2/4/6/8寸樣件多點定位自動掃描測量,軟件一鍵生成二維/三維膜厚分布圖;6、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;7、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
19GPU服務(wù)器YX(略)A(略)服務(wù)器"擬購GPU服務(wù)器1臺。主要技術(shù)指標:1、4顆X86架構(gòu)CPU,2.1G,48C/96T;2、1TB內(nèi)存;12塊3.84TBSSD;3、2個萬兆光口;4、4個48G顯存高端AI計算GPU卡;5、滿配冗余電源風(fēng)扇,含上架導(dǎo)軌;6、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;7、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。"(略)年08月
20ESD(略)YX(略)A(略)(略)參數(shù)測量儀擬購ESD(略)1套。該系統(tǒng)包括半導(dǎo)體器件及ESD(略)、中脈沖寬度擴展器及手動探頭。主要技術(shù)指標:1、半導(dǎo)體器件及ESD(略)(略)電流最大40A;(略)電壓最大2KV;支持上升時間10ns;支持脈沖寬度100ns;支持封裝級、晶圓級測試;提供自動測試軟件;提供數(shù)據(jù)分析軟件;支持升級VF-TLP/HBM/HMM。2、中脈沖寬度擴展器:短路電流最大40A;開路電壓最大2KV;上升時間10ns;脈沖寬度100ns。3、手動探頭:探針臺主機大小4英寸;移動精度10微米;三目體式顯微鏡;目鏡倍率20倍;放大倍率16倍~100倍;200萬像素高清CCD成像系。4、質(zhì)保:自驗收合格之日起兩年;5、售后:所有硬件兩年免費保修、所有軟件免費保修升級、電話報修后48小時上門服務(wù)、48小時內(nèi)排除故障。(略)年08月
本次公開的采購意向是本單位:(略)
(略)
2025年07月04日
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